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IXFK140N30P
IXFX140N30P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
140
V GS = 10V
280
120
100
80
60
8V
7V
6V
240
200
160
120
V GS = 10V
8V
7V
6V
40
80
20
0
5V
40
0
5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
140
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value
vs. Junction Temperature
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V GS = 10V
I D = 140A
I D = 70A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
80
70
External Lead Current Limit
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
60
50
40
30
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXFK150N15P 功能描述:MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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